上海申和热磁电子有限公司
企业简介
  上海申和热磁电子有限公司位于上海经济开发区之一(宝山城市工业园区),是日本FerroTec集团在上海的子公司。公司于1995年5月18日开业,目前投资总额5 0亿日元(约合4亿人民币),注册资本3 0.8亿日元。本公司是一家主要从事半导体热电制冷材料、覆铜陶瓷基板、电力电子模块、NC数控机床系列产品、半导体设备洗净工程、单晶硅片加工生产等新型材料的开发研究和生产销售的高科技公司。 TE事业部的主导产品陶瓷覆铜基板(DBC)和温差电致冷材料属于上海市重点发展的新材料工业。 DBC是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺方法。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能,高导热特性,优异的软钎焊性和高的附着强度,并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形,具有很大的载流能力。因此,DBC基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。 以Bi-Te为基础的温差电致冷材料属于半导体致冷器的核心部分,它是一种半导体材料,对其原材料的纯度有一定要求,申和公司自行设计了一系列提纯装置,提高了原材料的提纯效果,在关键的区熔工序,采用了特别的生产工艺,使本公司的温差电致冷材料居于水平。 公司一直大力推进6S管理,1999年4月通过ISO9002质量体系认证,2002年8月通过了ISO9001:2000的转版。公司注重环境保护,通过了ISO14001环境管理体系认证。2002年12月,公司被评为上海市外商投资先进技术企业。
上海申和热磁电子有限公司的工商信息
  • 310000400114201
  • 91310000607308378X
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司(外国法人独资)
  • 1995年05月17日
  • 山村章
  • 1758000.000000
  • 1995年05月17日 至 2035年05月16日
  • 上海市工商行政管理局
  • 1995年05月17日
  • 上海市宝山城市工业园区山连路181号
  • 生产热电材料、复铜陶瓷基板、磁性流体、电力电子模块,加工生产高精度玻璃机械和半导体专用机械设备和数控机械,电镀及表面处理加工业务、硅片生产、半导体成套设备维护及配套,销售自产产品。 【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海申和热磁电子有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 上海申和热磁电子有限公司 http://www.ferrotec.com.cn/shenhe
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网站 上海申和热磁电子电子有限公司 www.ferrotec.sh.cn
上海申和热磁电子有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 9123908 申和 2011-02-16 晶片(锗片);半导体;单晶硅;硅外延片;石英晶体;多晶硅;硒堆和硒片;电镀设备;电焊设备;碳素材料 查看详情
2 9123911 申和 2011-02-16 镀银;镀镉;镀铬;金属电镀;镀金;电镀;镀锡;镀锌;研磨加工;金属处理;金属淬火;镀镍;研磨抛光;镀金(电镀) 查看详情
3 9123909 SHEN HE 2011-02-16 晶片(锗片);半导体;单晶硅;硅外延片;石英晶体;多晶硅;硒堆和硒片;电镀设备;电焊设备;碳素材料 查看详情
上海申和热磁电子有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN205319125U 一种超薄单晶硅片烧结治具 2016.06.15 本实用新型涉及一种超薄单晶硅片烧结治具包括加工槽,加工槽两端固定有挡块,所述的加工槽截面为V形。本实
2 CN106158771A 用于硅片的有去边超级背封层结构及其制造方法 2016.11.23 本发明用于硅片的有去边超级背封层结构,包括:二氧化硅背封层,所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面;多晶
3 CN205319141U 用于覆铜陶瓷基板烧结的防错位装置 2016.06.15 本实用新型涉及覆铜陶瓷基板制造加工技术领域,公开了一种用于覆铜陶瓷基板烧结的防错位装置,包括:底板,
4 CN106217665A 一种超细钢线切割超薄硅片的方法 2016.12.14 本发明涉及一种超细钢线切割超薄硅片的方法,包括如下步骤:(1)主轴开槽,(2)粘棒,(3)配置冷却液
5 CN103046108B 电解工艺在ITO膜洗净中的应用 2017.03.29 本发明涉及电解工艺在ITO膜洗净中的应用,将部品置于硫酸电解液中,通过电解将ITO膜洗净,其中,所述
6 CN103011611B 一种半导体用石英的表面处理方法 2017.03.15 本发明公开了一种半导体用石英的表面处理方法,经喷砂处理、酸刻蚀、有机溶液浸泡、酸溶液浸泡后进行超声处
7 CN103614567B 真空蒸馏材料取料方法 2017.03.15 本发明真空蒸馏材料取料方法,包括如下步骤:第一步,将需要真空蒸馏的原材料装入玻璃套筒内并紧密粘附在玻
8 CN102851661B 水溶性防锈脱水剂及其制备方法与应用 2017.03.15 本发明水溶性防锈脱水剂及其制备方法与应用,包括如下步骤:S1,前洗净;S2,贴付;S3,粗抛;S4,
9 CN106158768A 用于硅片的有去边复合背封层结构及其制造方法 2016.11.23 本发明用于硅片的有去边复合背封层结构,包括:多晶硅背封层,所述多晶硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边
10 CN106158770A 用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法 2016.11.23 本发明用于硅片的无去边超级背封层结构,包括:二氧化硅背封层,所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面
11 CN106158769A 用于硅片的无去边LTO背封层结构及其制造方法 2016.11.23 本发明硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构,包括:二氧化硅背封层,所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面
12 CN106158776A 用于硅片的无去边复合背封层结构及其制造方法 2016.11.23 本发明用于硅片的无去边复合背封层结构,包括:多晶硅背封层,所述多晶硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边
13 CN205420598U 单晶炉短加热器 2016.08.03 本实用新型公开了单晶炉短加热器,包括加热器本体,支撑,所述加热器本体的高度为0.7~0.9H,H为原
14 CN105702588A 加厚DBC基板制造方法及使用该方法制造的DBC基板 2016.06.22 本发明加厚DBC基板制造方法,包括如下步骤:第一步,对瓷片基材的表面进行前处理;第二步,对瓷片基材和
15 CN205329208U 一种直拉单晶硅的Sb掺杂装置 2016.06.22 本实用新型涉及半导体晶体生长领域,公开了一种直拉硅单晶的Sb掺杂装置,包括:包括:石英钟罩,所述石英
16 CN205319142U 一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板 2016.06.15 本实用新型涉及覆铜陶瓷基板的切割设计领域,公开了一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板,其特征在于,包括:覆
17 CN205313706U 卷对卷连续镀旋转组合式电极 2016.06.15 本实用新型涉及一种卷对卷连续镀旋转组合式电极,包括电极支撑架,所述的电极支撑架两端各连接一个电极支撑
18 CN205310084U 多参数R值倒角磨轮 2016.06.15 本实用新型公开了多参数R值倒角磨轮,多参数R值倒角磨轮的凹槽数大于等于4个,所述凹槽的截面为圆弧,所
19 CN102392264B 一种缓蚀剂、清洗液及其应用 2016.06.15 本发明涉及缓蚀剂技术领域,公开了一种缓蚀剂、清洗液及其应用。缓蚀剂按照重量百分比计,包括以下组份:改
20 CN205319124U 硅片精密对准倒片花棒 2016.06.15 本实用新型公开了硅片精密对准倒片花棒为圆柱体,两端设有卡口,所述圆柱体上设有槽口,所述槽口为环状凹槽
21 CN105622126A 一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>陶瓷覆铜基板及其制备方法 2016.06.01 本发明涉及一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>陶瓷覆铜基板及其制备方法。该Si
22 CN105624749A 一种陶瓷基板表面金属化的方法 2016.06.01 本发明涉及一种陶瓷基板表面金属化的方法。具体包括:镀鈦钨铜、脱脂、酸化腐蚀、酸化处理、贴膜、下底铜镀
23 CN105542979A 用于去除晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂及其制备和应用 2016.05.04 本发明涉及一种用于去除晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂,以重量份计,包括如下组分:丙酮10-30份、乙二
24 CN105401201A 一种用于TFT液晶玻璃面板的铝合金基材的阳极氧化工艺 2016.03.16 本发明涉及一种用于TFT设备的铝合金基材的阳极氧化工艺,包括:脱脂、碱蚀、除灰、第一次水洗、硫酸阳极
25 CN204608190U 汽车马达氧化局部保护治具 2015.09.02 本实用新型汽车马达氧化局部保护治具,包括:定位底座;固定凸块,多个所述固定凸块间隔设置在所述定位底座
26 CN204397604U 用于双面研磨的主辊 2015.06.17 本实用新型用于双面研磨的主辊,包括:主辊本体;辊槽,辊槽设置在主辊本体的表面;在主辊本体的表面上的辊
27 CN204385317U 单晶炉热场系统 2015.06.10 本实用新型单晶炉热场系统,包括:单晶炉炉体,在所述单晶炉炉体内壁上设热场保温结构;排气管道口,所述排
28 CN204381341U 半导体致冷材料成型装置 2015.06.10 本实用新型半导体致冷材料成型装置,包括:震动器,在所述震动器的上方设有安装板;治具,所述治具通过螺栓
29 CN104576319A 去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法 2015.04.29 本发明去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法,包括如下步骤:S1,使用有机溶剂对零件进行浸泡;
30 CN104538508A GaN外延用硅衬底材料的翘曲度控制方法 2015.04.22 本发明GaN外延用硅衬底材料的翘曲度控制方法,包括如下步骤:第一步,将经切片、倒角、磨片加工后的硅片
31 CN104538325A P型硅片Cu污染检测方法 2015.04.22 本发明P型硅片Cu污染检测方法,包括如下步骤:第一步,利用去离子水润湿硅片的表面至少3分钟;第二步,
32 CN104535911A 铝溶射涂层性能测试方法 2015.04.22 本发明铝溶射涂层性能测试方法,使用耐击穿电压测试仪对样片进行耐击穿电压测试;其中所述耐击穿电压测试仪
33 CN104495763A 以碲化铋为基的热电材料的制备方法 2015.04.08 本发明以碲化铋为基的热电材料的制备方法,包括如下步骤:第一步,将原材料在真空气氛下合成;第二步,将合
34 CN104499026A 陶瓷表面铝溶射微弧氧化方法 2015.04.08 本发明陶瓷表面铝溶射微弧氧化方法,包括如下步骤:第一步,对陶瓷基体进行喷砂增粗;第二步,对陶瓷基体进
35 CN104362099A 高热导覆铜陶瓷基板的制备方法 2015.02.18 本发明高热导覆铜陶瓷基板的制备方法,包括如下步骤:第一步,对瓷片基材和铜片进行清洗;第二步,在瓷片基
36 CN204125554U 卷对卷连续镀可调式电极 2015.01.28 本实用新型卷对卷连续镀可调式电极,包括:支架板;上螺杆,上螺杆的一端设置在支架板的一侧;下螺杆,下螺
37 CN203882955U 用于DBC基板的铜片预氧化装置 2014.10.15 本实用新型用于DBC基板的铜片预氧化装置,包括:支架,在所述支架的两端设有焊接架,在所述支架的两侧设
38 CN104060321A 用于单晶炉的石英销 2014.09.24 本发明用于单晶炉的石英销,包括:插入部,所述插入部的一端插入热屏底部的凹槽内;接触部,所述接触部的一
39 CN104037110A 半导体硅片剥离铲刀 2014.09.10 本发明半导体硅片剥离铲刀,包括通过连接板相互连接的刀刃、刀刃座及刀柄;在所述刀刃的非连接端为弧形设计
40 CN203668556U 单晶炉热屏提取装置 2014.06.25 本实用新型单晶炉热屏提取装置,包括:手持杆;连接环,所述连接环设置在所述手持杆下方,所述连接环通过连
41 CN203672973U 用于晶棒电阻自动测试的装置 2014.06.25 本实用新型用于晶棒电阻自动测试的装置,包括:支架,在所述支架上设有滑轨;长压板,所述长压板设置在所述
42 CN203668557U 单晶炉中轴盖 2014.06.25 本实用新型单晶炉中轴盖,包括接触板以及设置在所述接触板上、下表面的内圈及提拉环;其中所述接触板为圆形
43 CN203674186U 硅片盒 2014.06.25 本实用新型硅片盒,包括:硅片盒本体;加强筋,所述加强筋设置在所述硅片盒本体两侧,两侧的所述加强筋相向
44 CN203668550U 籽晶 2014.06.25 本实用新型籽晶,包括依次连接的第一轴段、过渡段及第二轴段;其中所述第一轴段、所述过渡段及所述第二轴段
45 CN203674179U 碱槽转轴 2014.06.25 本实用新型碱槽转轴,包括:滚轴,滚轴的旋转中心设置硅片盒中硅片的正下方,滚轴为扇形;插片,插片为三个
46 CN203674184U 用于铜片预氧化的陶瓷支架 2014.06.25 本实用新型用于铜片预氧化的陶瓷支架,陶瓷片本体,在陶瓷片本体的两端设有陶瓷折弯部;铜箔,铜箔贴合在陶
47 CN103833404A 覆铝陶瓷基板的制备方法 2014.06.04 本发明覆铝陶瓷基板的制备方法,包括如下步骤:第一步,对瓷片基材进行清洗;第二步,对铝片表面进行打磨,
48 CN103762155A 硅片清洗工艺 2014.04.30 本发明硅片清洗工艺,包括如下步骤:第一步,利用去离子水清洗硅片的表面;第二步,利用SC-1清洗溶液清
49 CN103762181A 氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法 2014.04.30 本发明氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法,包括:第一步,对氮化铝陶瓷和铜片进行清洗;第二步,对氮化铝陶瓷进
50 CN203536383U 用于陶瓷覆铜基板的掰边机构 2014.04.09 本实用新型用于陶瓷覆铜基板的掰边机构,包括:下底板;上底板,上底板通过支架设置在下底板上;调节螺钉,
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