企业简介
![上海申和热磁电子有限公司](http://img.czvv.com/logo/4c347073b9cbc5dc912402ea/4c347073b9cbc5dc912402ea.png)
上海申和热磁电子有限公司的工商信息
- 310000400114201
- 91310000607308378X
- 存续(在营、开业、在册)
- 有限责任公司(外国法人独资)
- 1995年05月17日
- 山村章
- 1758000.000000
- 1995年05月17日 至 2035年05月16日
- 上海市工商行政管理局
- 1995年05月17日
- 上海市宝山城市工业园区山连路181号
- 生产热电材料、复铜陶瓷基板、磁性流体、电力电子模块,加工生产高精度玻璃机械和半导体专用机械设备和数控机械,电镀及表面处理加工业务、硅片生产、半导体成套设备维护及配套,销售自产产品。 【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
分支机构
上海申和热磁电子有限公司的域名
类型 | 名称 | 网址 |
网站 | 上海申和热磁电子有限公司 | http://www.ferrotec.com.cn/shenhe |
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网站 | 上海申和热磁电子电子有限公司 | www.ferrotec.sh.cn |
上海申和热磁电子有限公司的商标信息
上海申和热磁电子有限公司的专利信息
序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
1 | CN205319125U | 一种超薄单晶硅片烧结治具 | 2016.06.15 | 本实用新型涉及一种超薄单晶硅片烧结治具包括加工槽,加工槽两端固定有挡块,所述的加工槽截面为V形。本实 |
2 | CN106158771A | 用于硅片的有去边超级背封层结构及其制造方法 | 2016.11.23 | 本发明用于硅片的有去边超级背封层结构,包括:二氧化硅背封层,所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面;多晶 |
3 | CN205319141U | 用于覆铜陶瓷基板烧结的防错位装置 | 2016.06.15 | 本实用新型涉及覆铜陶瓷基板制造加工技术领域,公开了一种用于覆铜陶瓷基板烧结的防错位装置,包括:底板, |
4 | CN106217665A | 一种超细钢线切割超薄硅片的方法 | 2016.12.14 | 本发明涉及一种超细钢线切割超薄硅片的方法,包括如下步骤:(1)主轴开槽,(2)粘棒,(3)配置冷却液 |
5 | CN103046108B | 电解工艺在ITO膜洗净中的应用 | 2017.03.29 | 本发明涉及电解工艺在ITO膜洗净中的应用,将部品置于硫酸电解液中,通过电解将ITO膜洗净,其中,所述 |
6 | CN103011611B | 一种半导体用石英的表面处理方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种半导体用石英的表面处理方法,经喷砂处理、酸刻蚀、有机溶液浸泡、酸溶液浸泡后进行超声处 |
7 | CN103614567B | 真空蒸馏材料取料方法 | 2017.03.15 | 本发明真空蒸馏材料取料方法,包括如下步骤:第一步,将需要真空蒸馏的原材料装入玻璃套筒内并紧密粘附在玻 |
8 | CN102851661B | 水溶性防锈脱水剂及其制备方法与应用 | 2017.03.15 | 本发明水溶性防锈脱水剂及其制备方法与应用,包括如下步骤:S1,前洗净;S2,贴付;S3,粗抛;S4, |
9 | CN106158768A | 用于硅片的有去边复合背封层结构及其制造方法 | 2016.11.23 | 本发明用于硅片的有去边复合背封层结构,包括:多晶硅背封层,所述多晶硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边 |
10 | CN106158770A | 用于硅片的无去边超级背封层结构及其制造方法 | 2016.11.23 | 本发明用于硅片的无去边超级背封层结构,包括:二氧化硅背封层,所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面、背面 |
11 | CN106158769A | 用于硅片的无去边LTO背封层结构及其制造方法 | 2016.11.23 | 本发明硅片用于硅片的无去边LTO背封层结构,包括:二氧化硅背封层,所述二氧化硅背封层覆盖在硅片的背面 |
12 | CN106158776A | 用于硅片的无去边复合背封层结构及其制造方法 | 2016.11.23 | 本发明用于硅片的无去边复合背封层结构,包括:多晶硅背封层,所述多晶硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边 |
13 | CN205420598U | 单晶炉短加热器 | 2016.08.03 | 本实用新型公开了单晶炉短加热器,包括加热器本体,支撑,所述加热器本体的高度为0.7~0.9H,H为原 |
14 | CN105702588A | 加厚DBC基板制造方法及使用该方法制造的DBC基板 | 2016.06.22 | 本发明加厚DBC基板制造方法,包括如下步骤:第一步,对瓷片基材的表面进行前处理;第二步,对瓷片基材和 |
15 | CN205329208U | 一种直拉单晶硅的Sb掺杂装置 | 2016.06.22 | 本实用新型涉及半导体晶体生长领域,公开了一种直拉硅单晶的Sb掺杂装置,包括:包括:石英钟罩,所述石英 |
16 | CN205319142U | 一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板 | 2016.06.15 | 本实用新型涉及覆铜陶瓷基板的切割设计领域,公开了一种便于激光切割的覆铜陶瓷基板,其特征在于,包括:覆 |
17 | CN205313706U | 卷对卷连续镀旋转组合式电极 | 2016.06.15 | 本实用新型涉及一种卷对卷连续镀旋转组合式电极,包括电极支撑架,所述的电极支撑架两端各连接一个电极支撑 |
18 | CN205310084U | 多参数R值倒角磨轮 | 2016.06.15 | 本实用新型公开了多参数R值倒角磨轮,多参数R值倒角磨轮的凹槽数大于等于4个,所述凹槽的截面为圆弧,所 |
19 | CN102392264B | 一种缓蚀剂、清洗液及其应用 | 2016.06.15 | 本发明涉及缓蚀剂技术领域,公开了一种缓蚀剂、清洗液及其应用。缓蚀剂按照重量百分比计,包括以下组份:改 |
20 | CN205319124U | 硅片精密对准倒片花棒 | 2016.06.15 | 本实用新型公开了硅片精密对准倒片花棒为圆柱体,两端设有卡口,所述圆柱体上设有槽口,所述槽口为环状凹槽 |
21 | CN105622126A | 一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>陶瓷覆铜基板及其制备方法 | 2016.06.01 | 本发明涉及一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>陶瓷覆铜基板及其制备方法。该Si |
22 | CN105624749A | 一种陶瓷基板表面金属化的方法 | 2016.06.01 | 本发明涉及一种陶瓷基板表面金属化的方法。具体包括:镀鈦钨铜、脱脂、酸化腐蚀、酸化处理、贴膜、下底铜镀 |
23 | CN105542979A | 用于去除晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂及其制备和应用 | 2016.05.04 | 本发明涉及一种用于去除晶圆玻璃掩膜版封装胶的清洗剂,以重量份计,包括如下组分:丙酮10-30份、乙二 |
24 | CN105401201A | 一种用于TFT液晶玻璃面板的铝合金基材的阳极氧化工艺 | 2016.03.16 | 本发明涉及一种用于TFT设备的铝合金基材的阳极氧化工艺,包括:脱脂、碱蚀、除灰、第一次水洗、硫酸阳极 |
25 | CN204608190U | 汽车马达氧化局部保护治具 | 2015.09.02 | 本实用新型汽车马达氧化局部保护治具,包括:定位底座;固定凸块,多个所述固定凸块间隔设置在所述定位底座 |
26 | CN204397604U | 用于双面研磨的主辊 | 2015.06.17 | 本实用新型用于双面研磨的主辊,包括:主辊本体;辊槽,辊槽设置在主辊本体的表面;在主辊本体的表面上的辊 |
27 | CN204385317U | 单晶炉热场系统 | 2015.06.10 | 本实用新型单晶炉热场系统,包括:单晶炉炉体,在所述单晶炉炉体内壁上设热场保温结构;排气管道口,所述排 |
28 | CN204381341U | 半导体致冷材料成型装置 | 2015.06.10 | 本实用新型半导体致冷材料成型装置,包括:震动器,在所述震动器的上方设有安装板;治具,所述治具通过螺栓 |
29 | CN104576319A | 去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法 | 2015.04.29 | 本发明去除硅片背金工艺后粘结片表面粘结剂的清洗方法,包括如下步骤:S1,使用有机溶剂对零件进行浸泡; |
30 | CN104538508A | GaN外延用硅衬底材料的翘曲度控制方法 | 2015.04.22 | 本发明GaN外延用硅衬底材料的翘曲度控制方法,包括如下步骤:第一步,将经切片、倒角、磨片加工后的硅片 |
31 | CN104538325A | P型硅片Cu污染检测方法 | 2015.04.22 | 本发明P型硅片Cu污染检测方法,包括如下步骤:第一步,利用去离子水润湿硅片的表面至少3分钟;第二步, |
32 | CN104535911A | 铝溶射涂层性能测试方法 | 2015.04.22 | 本发明铝溶射涂层性能测试方法,使用耐击穿电压测试仪对样片进行耐击穿电压测试;其中所述耐击穿电压测试仪 |
33 | CN104495763A | 以碲化铋为基的热电材料的制备方法 | 2015.04.08 | 本发明以碲化铋为基的热电材料的制备方法,包括如下步骤:第一步,将原材料在真空气氛下合成;第二步,将合 |
34 | CN104499026A | 陶瓷表面铝溶射微弧氧化方法 | 2015.04.08 | 本发明陶瓷表面铝溶射微弧氧化方法,包括如下步骤:第一步,对陶瓷基体进行喷砂增粗;第二步,对陶瓷基体进 |
35 | CN104362099A | 高热导覆铜陶瓷基板的制备方法 | 2015.02.18 | 本发明高热导覆铜陶瓷基板的制备方法,包括如下步骤:第一步,对瓷片基材和铜片进行清洗;第二步,在瓷片基 |
36 | CN204125554U | 卷对卷连续镀可调式电极 | 2015.01.28 | 本实用新型卷对卷连续镀可调式电极,包括:支架板;上螺杆,上螺杆的一端设置在支架板的一侧;下螺杆,下螺 |
37 | CN203882955U | 用于DBC基板的铜片预氧化装置 | 2014.10.15 | 本实用新型用于DBC基板的铜片预氧化装置,包括:支架,在所述支架的两端设有焊接架,在所述支架的两侧设 |
38 | CN104060321A | 用于单晶炉的石英销 | 2014.09.24 | 本发明用于单晶炉的石英销,包括:插入部,所述插入部的一端插入热屏底部的凹槽内;接触部,所述接触部的一 |
39 | CN104037110A | 半导体硅片剥离铲刀 | 2014.09.10 | 本发明半导体硅片剥离铲刀,包括通过连接板相互连接的刀刃、刀刃座及刀柄;在所述刀刃的非连接端为弧形设计 |
40 | CN203668556U | 单晶炉热屏提取装置 | 2014.06.25 | 本实用新型单晶炉热屏提取装置,包括:手持杆;连接环,所述连接环设置在所述手持杆下方,所述连接环通过连 |
41 | CN203672973U | 用于晶棒电阻自动测试的装置 | 2014.06.25 | 本实用新型用于晶棒电阻自动测试的装置,包括:支架,在所述支架上设有滑轨;长压板,所述长压板设置在所述 |
42 | CN203668557U | 单晶炉中轴盖 | 2014.06.25 | 本实用新型单晶炉中轴盖,包括接触板以及设置在所述接触板上、下表面的内圈及提拉环;其中所述接触板为圆形 |
43 | CN203674186U | 硅片盒 | 2014.06.25 | 本实用新型硅片盒,包括:硅片盒本体;加强筋,所述加强筋设置在所述硅片盒本体两侧,两侧的所述加强筋相向 |
44 | CN203668550U | 籽晶 | 2014.06.25 | 本实用新型籽晶,包括依次连接的第一轴段、过渡段及第二轴段;其中所述第一轴段、所述过渡段及所述第二轴段 |
45 | CN203674179U | 碱槽转轴 | 2014.06.25 | 本实用新型碱槽转轴,包括:滚轴,滚轴的旋转中心设置硅片盒中硅片的正下方,滚轴为扇形;插片,插片为三个 |
46 | CN203674184U | 用于铜片预氧化的陶瓷支架 | 2014.06.25 | 本实用新型用于铜片预氧化的陶瓷支架,陶瓷片本体,在陶瓷片本体的两端设有陶瓷折弯部;铜箔,铜箔贴合在陶 |
47 | CN103833404A | 覆铝陶瓷基板的制备方法 | 2014.06.04 | 本发明覆铝陶瓷基板的制备方法,包括如下步骤:第一步,对瓷片基材进行清洗;第二步,对铝片表面进行打磨, |
48 | CN103762155A | 硅片清洗工艺 | 2014.04.30 | 本发明硅片清洗工艺,包括如下步骤:第一步,利用去离子水清洗硅片的表面;第二步,利用SC-1清洗溶液清 |
49 | CN103762181A | 氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法 | 2014.04.30 | 本发明氮化铝覆铜陶瓷基板的制备方法,包括:第一步,对氮化铝陶瓷和铜片进行清洗;第二步,对氮化铝陶瓷进 |
50 | CN203536383U | 用于陶瓷覆铜基板的掰边机构 | 2014.04.09 | 本实用新型用于陶瓷覆铜基板的掰边机构,包括:下底板;上底板,上底板通过支架设置在下底板上;调节螺钉, |
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